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资质荣誉

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芯塔电子 SiC MOSFET 助力中国新能源产业发展

  • 2022-06-07

  硅作为第一代半导体材料,长久以来一直是功率电子学中优选半导体材料。近年来,以碳化硅为代表的第三代半导体蓬勃发展。相对于硅材料器件,碳化硅以其高压、高频、高温、高速的优良特性,能够大幅提升各类电力电子设备的能量密度,降低成本造价,增强可靠性和适用性,提高电能转换效率,降低损耗。

  目前碳化硅在电动汽车、逆变器、轨道交通、太阳能和风力发电上广泛应用。随着 USB PD 快充技术的普及和氮化镓技术的成熟,大功率快充电源市场逐渐兴起,碳化硅二极管也开始在消费类电源市场中崭露头角,被部分 100W 大功率氮化镓快充产品选用。

  src=SiC 产业目前处于快速发展期,新能源汽车及光伏等领域对 SiC MOSFET 需求旺盛。然而,SiC MOSFET 因技术难度高、研发周期长、研发投入大、人才要求高等因素,国内总体水平还相对比较薄弱,具备研发和量产能力的企业更是凤毛麟角。

  而作为国内领先的第三代半导体功率器件和应用解决方案提供商,TOPE芯塔电子最近推出的 SiC MOSFET 产品系列,为高电压应用场景提供了全新的国产解决方案。

  面对外界风险挑战,芯塔电子坚持本土创新,加大研发投入,攻坚关键核心技术,面向三代半新赛道加快构建核心技术优势。芯塔电子依靠十多年的技术积累,通过和合作单位共同研发栅介质的核心工艺技术,研究栅氧的物理机理,改进了 MOS 栅的可靠性和沟道迁移率,使得具有自主的知识产权的 SiC MOSFET 器件具有更小的导通电阻,性能达到国际先进水平。

  src=上图为 TOPE芯塔电子1200V SiC MOSFET 输出特性曲线,从图中可以看到在不同栅极驱动电压的情况下,源漏极之间电压和电流的关系,而在不同的条件下,芯塔 1200V SiC MOSFET 的输出表现良好。

  src=上图是 Vac 为 25mV,频率为 1MHz 时的芯塔电子1200V SiC MOSFET 电容曲线。从图中可以看到输入电容和源漏极之间电压的变化关系。

  在 SiC MOSFET 高频开关应用双脉冲测试方面,将芯塔与国际一线V SiC MOSFET 产品进行对比,上图中的黄线为栅极电压,红线为源漏极电压,蓝色为源漏极电流。

  通过高频开关应用对比可以看出,芯塔电子的 1200V SiC MOSFET 产品与国际一线品牌产品测试表现接近,性能满足客户需求,可实现国产替代。

  TOPE 芯塔电子此次推出的 SiC MOSFET 产品线目前共有六款产品,可应用于新能源汽车、工业变频、充电桩、光伏逆变器、储能、UPS 等领域。产品基于自主开发的 XM 2.0 技术平台,具有精细结构设计、低比导通电阻和低优植因子等技术优势。

  芯塔电子是 SiC 功率器件国产化的先行者,SiC MOSFET 从产品设计、制造、封装等各环节均在国内完成,该系列产品加快了中国 SiC MOSFET 器件的国产化进程(包括自主的 IP、材料、设计、工艺等),彰显了我司科技创新的核心竞争力。

  芯塔电子 SiC 1200V 80-40m Ω MOSFET 器件已经给国内的重要客户进行了送样和销售,包括军工、新能源汽车、充电桩等领域,同时也已获得众多客户的咨询和明确需求,预计今年营收会有爆发性增长。

  src=依靠十多年的技术积累和专注的技术研发,芯塔电子已形成比较完整的功率器件产品体系,包括 6 英寸 SiC 肖特基二极管芯片,650V-1200V 40 多种规格的第五代 SiC 肖特基二极管器件,SiC MOSFET 器件和模块。

  芯塔电子目前已积累上百家客户资源,并进入了行业标杆客户。在资本方面,芯塔电子已获得了政府的有力支持和头部资源的投资,将助推公司更加快速地发展。芯塔电子将加快创新驱动,携手国内第三代半导体产业链共同助力中国新能源产业发展。